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Vishay Bauteile: Höhere Leistung bei kleineren Abmessungen

14.05.2014: Selb / Malvern (USA), 14. Mai 2014 - Auf der PCIM präsentiert Vishay ...

Vishay auf der PCIM 2014: Halle 9, Stand 212

25.04.2014: Selb / Malvern (USA), 24. April 2014 - Auf der PCIM präsentiert Visha ...

Dual CoolTM Gehäuse von Fairchild Semiconductor ermöglichen höhere Leistungsdichte und Leistung bei DC-DC-Anwendungen

07.01.2013: Fürstenfeldbruck - 7. Januar 2013 - Die Entwickler von DC-DC-Wandlern ...

Erweiterte PowerTrench®-MOSFET-Familie von Fairchild Semiconductor erhöht Leistungsdichte und Wirkungsgrad in SMPS-Designs

16.08.2012: Fürstenfeldbruck - 16. August 2012 - Die Verbesserung der Leistungsdi ...

P-Kanal-PowerTrench® WL-CSP-MOSFETs von Fairchild Semiconductor minimieren die Leiterplattenfläche i

15.05.2012: Fürstenfeldbruck - 15. Mai 2012 - Die Entwickler von mobilen Geräten ...

Fairchild Semiconductor und Infineon Technologies schließen Lizenzvereinbarungüber eine innovative H

03.04.2012: Fürstenfeldbruck und Neubiberg - 03. April 2012 - Fairchild Semicondu ...

Single P-Kanal PowerTrench® MOSFETs von Fairchild Semiconductor bieten kleine Bauform und geringen D

22.02.2012: Fürstenfeldbruck - 22. Februar 2012 - Fairchild Semiconductor (NYSE: ...

Cree präsentiert Z-FET? Siliziumkarbid-MOSFET für energieeffiziente Anwendungen

31.05.2011: München, 26. Mai 2011 - Cree erweitert seine Z-FET-Familie mit einem ...



 

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